DRIE深反應離子刻蝕

NDR-4000（M）DRIE深反應離子刻蝕概述：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8" ICP源。系統可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000（M）DRIE深反應離子刻蝕主要特點：

• 基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統，擁有高縱橫比的刻蝕能力；
• 配套Lab View軟件，菜單驅動，自動記錄數據；
• 觸摸屏監控；
• 全自動系統，帶安全聯鎖；
• 四級權限，帶密碼保護；
• 手動上下載片；
• He氣背面冷卻，-60攝氏度的低溫樣品夾具；
• 高達-1000V的外部偏壓；
• 渦輪分子泵 + 渦旋干泵；
• 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式；
• 實時顯示真空、功率、反射功率圖表，以及流量實時顯示；

配置內容：

• 外觀尺寸：緊湊型立柜式設計，不銹鋼腔體，外觀尺寸為44”(W) x 26”(L) x62”(H)；
• 等離子源：NM ICP平面等離子源，帶淋浴頭氣體分布系統。等離子源安裝在腔體頂部，通過ISO250的法蘭連接；
• 處理腔體：13”的圓柱形超凈腔體，材質為陽極電鍍鋁。晶片通過氣動頂蓋裝載，腔體帶有上載安全鎖，用戶可以通過PC控制，至多可以裝載8個小尺寸基片，至大可支持的晶圓尺寸為8”。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置，提供8”區域的氣體均勻分布。系統帶暗區保護。
• 樣品臺：6”的托盤夾具，能夠支持6”的Wafer。可以冷卻到-120攝氏度（包含LN2循環水冷系統），并采用He氣實現背部冷卻和自動鎖緊，微精細地控制He氣流量，包含氣動截止閥；
• 流量控制：支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕，帶氣動截止閥，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件，所有導管以盡可能短的導軌密封設計，從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結束后，采用N2自動沖洗。
• 真空系統：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。
• RF電源：13.56MHz，帶自動調諧功能的1000W射頻電源，作為ICP源。另外，帶自動調諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。
• 操作控制：整個系統通過預裝的Lab View軟件和觸摸監控系統，實現PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的，都可PC控制。系統的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示，而流量和功率則以字母數字形式顯示。系統提供密碼和安全連鎖機制的四級權限控制。